型号：MGSF1N02LT1G

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型号：MGSF1N02LT1G

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型号：MGSF1N02LT1G

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 750 mA
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 1 ns
系列: MGSF1N02L
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 2.5 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg

型号：MGSF1N02LT1G